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STPS3030CR

更新时间： 2024-09-08 22:53:19
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 整流二极管功效
页数 文件大小 规格书
6页 101K
描述
LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER

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STPS3030CR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：PLASTIC, I2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.67
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：EFFICIENCY配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.42 VJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：250 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最大输出电流：15 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：30 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

STPS3030CR 数据手册

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®
STPS3030CT/CG/CR  
LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER  
MAJOR PRODUCTS CHARACTERISTICS  
A1  
A2  
K
IF(AV)  
VRRM  
2 x 15 A  
30 V  
K
Tj (max)  
VF (max)  
150°C  
0.42 V  
FEATURES AND BENEFITS  
A2  
A2  
■
■
■
■
VERY SMALL CONDUCTION LOSSES  
NEGLIGIBLE SWITCHING LOSSES  
EXTREMELY FAST SWITCHING  
LOW FORWARD VOLTAGE DROP FOR  
HIGHER EFFICIENCY  
K
A1  
A1  
TO-220AB  
D2PAK  
STPS3030CT  
STPS3030CG  
■
■
LOW THERMAL RESISTANCE  
AVALANCHE CAPABILITY SPECIFIED  
DESCRIPTION  
Dual Schottky rectifier suited for switch Mode  
Power Supply and high frequency DC to DC  
converters.  
Packaged in TO-220AB, D2PAK and I2PAK, this  
device is intended for use in low voltage high  
frequency inverters, free wheeling and polarity  
protection applications.  
A2  
K
A1  
I2PAK  
STPS3030CR  
ABSOLUTE RATINGS (limiting values, per diode)  
Symbol  
VRRM  
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Value  
30  
Unit  
V
IF(RMS)  
IF(AV)  
30  
A
RMS forward current  
15  
30  
A
Average forward  
current  
Tc = 135°C Per diode  
δ = 0.5  
Per device  
IFSM  
IRRM  
IRSM  
PARM  
Tstg  
250  
A
A
Surge non repetitive forward current  
Peak repetitive reverse current  
tp = 10 ms Sinusoidal  
tp=2 µs square F=1kHz  
tp = 100 µs square  
tp = 1µs Tj = 25°C  
1
3
A
Non repetitive peak reverse current  
Repetitive peak avalanche power  
Storage temperature range  
4100  
W
- 65 to + 150  
150  
°C  
°C  
V/µs  
Tj  
Maximum operating junction temperature *  
dV/dt  
10000  
Critical rate of rise of reverse voltage (rated VR, Tj = 25°C)  
1
dPtot  
* :  
<
thermal runaway condition for a diode on its own heatsink  
dTj  
Rth(j − a)  
July 2003 - Ed: 3A  
1/6  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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