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STPS30150CG

更新时间： 2024-09-08 22:53:19
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 整流二极管高压高电压电源
页数 文件大小 规格书
7页 108K
描述
HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER

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STPS30150CG 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-263包装说明：PLASTIC, D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.52Is Samacsys：N
其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT应用：HIGH VOLTAGE POWER
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.75 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：220 A元件数量：2
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最大输出电流：15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：150 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

STPS30150CG 数据手册

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STPS30150C  
®
HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER  
MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS  
A1  
A2  
K
IF(AV)  
VRRM  
2 x 15 A  
150 V  
Tj  
175°C  
0.75 V  
K
VF (max)  
FEATURES AND BENEFITS  
A2  
A2  
K
A1  
A1  
■
HIGH JUNCTION TEMPERATURE CAPABILITY  
■
GOOD TRADE OFF BETWEEN LEAKAGE  
CURRENT AND FORWARD VOLTAGE DROP  
LOW LEAKAGE CURRENT  
INSULATED PACKAGE: TO-220FPAB  
Insulating voltage: 2000V DC  
Capacitance: 45pF  
TO-220FPAB  
STPS30150CFP  
D2PAK  
STPS30150CG  
■
■
■
AVALANCHE CAPABILITY SPECIFIED  
A2  
A2  
K
K
DESCRIPTION  
A1  
A1  
Dual center tap schottky rectifier designed for  
high frequency Switched Mode Power  
Supplies.  
TO-220AB  
STPS30150CT  
TO-247  
STPS30150CW  
ABSOLUTE RATINGS (limiting values, per diode)  
Symbol  
Parameter  
Value  
150  
30  
Unit  
V
VRRM Repetitive peak reverse voltage  
IF(RMS) RMS forward current  
A
IF(AV)  
Average forward current TO-220FPAB  
Tc = 120°C per diode  
15  
A
TO-220AB/D2PAK Tc = 155°C  
δ = 0.5  
per device  
TO-247  
30  
220  
IFSM  
Surge non repetitive forward current  
tp = 10 ms sinusoidal  
tp = 1µs Tj = 25°C  
A
W
PARM Repetitive peak avalanche power  
10500  
- 65 to + 175  
175  
Tstg  
Tj  
Storage temperature range  
°C  
Maximum operating junction temperature *  
°C  
dV/dt Critical rate of rise of reverse voltage  
10000  
V/µs  
dPtot  
dTj  
1
* :  
<
thermal runaway condition for a diode on its own heatsink  
Rth(j − a)  
February 2004 - Ed: 7  
1/7  
1234567

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STPS30150CG 替代型号

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