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STPS2L60 PDF预览

STPS2L60

更新时间： 2024-01-28 06:16:22
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 二极管PC
页数 文件大小 规格书
6页 68K
描述
POWER SCHOTTKY RECTIFIER

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STPS2L60 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：DO-41包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：6 weeks风险等级：1.4
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：364954Samacsys Pin Count：2
Samacsys Part Category：DiodeSamacsys Package Category：Diodes Moulded
Samacsys Footprint Name：DO-214ACSamacsys Released Date：2020-04-05 15:02:21
Is Samacsys：N应用：POWER
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.55 VJEDEC-95代码：DO-41
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：75 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最大输出电流：2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：60 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

STPS2L60 数据手册

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®
STPS2L60/A  
POWER SCHOTTKY RECTIFIER  
MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
VRRM  
2 A  
60 V  
Tj (max)  
VF (max)  
150°C  
0.55 V  
DO-41  
STPS2L60  
FEATURES AND BENEFITS  
■
■
■
NEGLIGIBLE SWITCHING LOSSES  
LOW FORWARD VOLTAGE DROP  
AVALANCHE CAPABILITY SPECIFIED  
DESCRIPTION  
Axial and Surface Mount Power Schottky rectifier  
suited for Switch Mode Power Supplies and high  
frequency DC to DC converters. Packaged in  
DO-41 and SMA, this device is intended for use in  
low voltage, high frequency inverters and small  
battery chargers.  
SMA  
STPS2L60A  
ABSOLUTE RATINGS (limiting values)  
Symbol  
VRRM  
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Value  
60  
Unit  
V
IF(RMS)  
IF(AV)  
10  
A
RMS forward current  
2
A
Average forward current  
TL = 115°C δ = 0.5  
TL = 110°C δ = 0.5  
tp = 10 ms Sinusoidal  
tp = 1µs Tj = 25°C  
SMA  
DO-41  
IFSM  
PARM  
Tstg  
75  
1600  
A
W
Surge non repetitive forward current  
Repetitive peak avalanche power  
Storage temperature range  
- 65 to + 150  
150  
°C  
Tj  
°C  
Maximum junction temperature *  
Critical rate of rise of reverse voltage  
dV/dt  
10000  
V/µs  
dPtot  
1
* :  
<
thermal runaway condition for a diode on its own heatsink  
dTj  
Rth(j − a)  
July 2003 - Ed: 2A  
1/6  
123456

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