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STPS20120CR

更新时间： 2024-11-18 21:55:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 整流二极管
页数 文件大小 规格书
6页 74K
描述
POWER SCHOTTKY RECTIFIER

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STPS20120CR 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：I2PAK, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80Factory Lead Time：11 weeks
风险等级：2.24Is Samacsys：N
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.58 V
JESD-30 代码：R-XSIP-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最大输出电流：20 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：120 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

STPS20120CR 数据手册

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STPS20120C  
®
POWER SCHOTTKY RECTIFIER  
Table 1: Main Product Characteristics  
A1  
IF(AV)  
VRRM  
2 x 10 A  
120 V  
K
A2  
Tj (max)  
VF (typ)  
175°C  
0.54 V  
K
FEATURES AND BENEFITS  
■
■
■
■
High junction temperature capability  
Avalanche rated  
Low leakage current  
Good trade-off between leakage current and  
forward voltage drop  
A2  
A2  
K
K
A1  
A1  
TO-220AB  
STPS20120CT  
I2PAK  
STPS20120CR  
DESCRIPTION  
Dual center tap Schottky rectifier suited for high  
frequency Switch Mode Power Supply.  
Packaged in TO-220AB & I2PAK, this device is  
intended to be used in notebook & LCD adaptors,  
desktop SMPS, providing in these applications a  
margin between the remaining voltages applied on  
the diode and the voltage capability of the diode.  
Table 2: Order Codes  
Part Number  
Marking  
STPS20120CT  
STPS20120CR  
STPS20120CT  
STPS20120CR  
Table 3: Absolute Ratings (limiting values, per diode)  
Symbol  
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Value  
120  
30  
Unit  
VRRM  
V
A
IF(RMS)  
RMS forward voltage  
δ = 0.5  
Tc = 150°C  
Per diode  
Per device  
10  
20  
IF(AV)  
Average forward current  
A
IFSM  
PARM  
Tstg  
Tj  
tp = 10ms sinusoidal  
Surge non repetitive forward current  
Repetitive peak avalanche power  
Storage temperature range  
Maximum operating junction temperature *  
1
150  
4600  
A
tp = 1µs Tj = 25°C  
W
°C  
°C  
-65 to + 175  
175  
dPtot  
* : --------------- > ------------------------- thermal runaway condition for a diode on its own heatsink  
dTj  
Rth(j – a)  
February 2005  
REV. 1  
1/6  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STPS20120CT STMICROELECTRONICS

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