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STPS120M PDF预览

STPS120M

更新时间： 2024-01-06 10:47:15
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
6页 64K
描述
POWER SCHOTTKY RECTIFIER

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STPS120M 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
零件包装代码：DO-222AA包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ST MITE PACKAGE-2
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：6 weeks风险等级：1.21
Is Samacsys：N外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.41 V
JEDEC-95代码：DO-222AAJESD-30 代码：R-PDSO-F2
最大非重复峰值正向电流：50 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：20 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

STPS120M 数据手册

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STPS120M  
®
POWER SCHOTTKY RECTIFIER  
Table 1: Main Product Characteristics  
IF(AV)  
VRRM  
1 A  
20 V  
A
Tj (max)  
VF(max)  
150°C  
0.41 V  
C
FEATURES AND BENEFITS  
STmite  
(DO216-AA)  
■
■
■
■
Very small conduction losses  
Negligible switching losses  
Extremely fast switching  
Low forward voltage drop for higher efficiency  
and extented battery life  
■
■
Low thermal resistance  
Avalanche capability specified  
Table 2: Order Code  
Part Number  
Marking  
STPS120M  
120  
DESCRIPTION  
Single Schottky rectifier suited for switch mode  
power supplies and high frequency DC to DC  
converters.  
Packaged in STmite, this device is intended for  
use in low voltage, high frequency inverters, free  
wheeling and polarity protection applications. Due  
to the small size of the package this device fits  
battery powered equipment (cellular, notebook,  
PDA’s, printers) as well chargers and PCMCIA  
cards.  
Table 3: Absolute Ratings (limiting values)  
Symbol  
VRRM  
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Value  
Unit  
V
20  
IF(RMS)  
IF(AV)  
IFSM  
PARM  
Tstg  
RMS forward voltage  
2
1
A
Tc = 140°C δ = 0.5  
tp = 8.3 ms sinusoidal  
tp = 1µs Tj = 25°C  
Average forward current  
A
Surge non repetitive forward current  
Repetitive peak avalanche power  
Storage temperature range  
50  
A
1400  
-65 to + 150  
150  
W
°C  
°C  
V/µs  
Tj  
Maximum operating junction temperature *  
Critical rate of rise of reverse voltage (rated VR, Tj = 25°C)  
dV/dt  
10000  
dPtot  
dTj  
1
* : --------------- > ------------------------- thermal runaway condition for a diode on its own heatsink  
Rth(j – a)  
September 2004  
REV. 3  
1/6  
123456

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