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STPS1150

更新时间： 2024-01-30 01:55:17
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 整流二极管PC
页数 文件大小 规格书
6页 74K
描述
POWER SCHOTTKY RECTIFIER

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STPS1150 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：DO-41包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：6 weeks风险等级：1.23
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.67 V
JEDEC-95代码：DO-41JESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：75 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：150 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

STPS1150 数据手册

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STPS1150  
®
POWER SCHOTTKY RECTIFIER  
Table 1: Main Product Characteristics  
I
1 A  
F(AV)  
V
150 V  
175°C  
0.67 V  
RRM  
T (max)  
j
V (max)  
F
FEATURES AND BENEFITS  
SMA  
DO-41  
■
■
Negligible switching losses  
Low forward voltage drop for higher efficiency  
and extented battery life  
(JEDEC DO-214AC)  
STPS1150A  
STPS1150  
■
■
■
Low thermal resistance  
Surface mount miniature package  
Avalanche capability specified  
Table 2: Order Codes  
Part Number  
STPS1150A  
Marking  
1150  
DESCRIPTION  
STPS1150  
STPS1150RL  
STPS1150  
STPS1150  
150V Power Schottky rectifier are suited for switch  
Mode Power Supplies on up to 24V rails and high  
frequency converters.  
Packaged in SMA and Axial, this device is  
intended for use in consumer and computer  
applications like TV, STB, PC and DVD where low  
drop forward voltage in required to reduce power  
dissipation.  
Table 3: Absolute Ratings (limiting values)  
Symbol  
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Value  
150  
15  
Unit  
V
V
A
RRM  
I
RMS forward voltage  
F(RMS)  
T = 160°C δ = 0.5  
SMA  
L
I
Average forward current  
1
A
A
F(AV)  
T = 150°C δ = 0.5  
DO-41  
SMA  
DO-41  
L
50  
75  
Surge non repetitive forward  
current  
Half wave, single phase,  
50Hz  
I
FSM  
P
Repetitive peak avalanche power  
Storage temperature range  
tp = 1µs Tj = 25°C  
1500  
W
°C  
ARM  
T
-65 to + 150  
175  
stg  
T
Maximum operating junction temperature *  
°C  
j
Critical rate of rise of reverse voltage (rated V , T = 25°C)  
dV/dt  
10000  
V/µs  
R
j
dPtot  
dTj  
1
* : --------------- > ------------------------- thermal runaway condition for a diode on its own heatsink  
Rth(j – a)  
August 2004  
REV. 3  
1/6  
123456

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STPS1150 替代型号

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