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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> STPS10L60CFP
STPS10L60CFP PDF预览

STPS10L60CFP

更新时间： 2024-11-17 22:07:47
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 整流二极管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 79K
描述
POWER SCHOTTKY RECTIFIER

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STPS10L60CFP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220FPAB, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：15 weeks风险等级：1.46
应用：POWER外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.52 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：180 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最大输出电流：5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：60 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

STPS10L60CFP 数据手册

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®
STPS10L60CF/CFP  
POWER SCHOTTKY RECTIFIER  
MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS  
A1  
IF(AV)  
VRRM  
2 x 5 A  
60 V  
K
A2  
Tj (max)  
VF (max)  
150 °C  
0.52 V  
FEATURES AND BENEFITS  
■
■
■
LOW FORWARD VOLTAGE DROP  
NEGLIGIBLE SWITCHING LOSSES  
INSULATED PACKAGE:  
Insulating voltage = 2000V DC  
Capacitance = 12pF  
A2  
A2  
K
A1  
K
A1  
TO-220FPAB  
ISOWATT220AB  
STPS10L60CF  
STPS10L60CFP  
■
AVALANCHE CAPABILITY SPECIFIED  
DESCRIPTION  
Dual center tap Schottky rectifiers suited for  
Switched Mode Power Supplies and high  
frequency DC to DC converters.  
Packaged in ISOWATT220AB, TO-220FPAB this  
device is intended for use in high frequency  
inverters.  
ABSOLUTE RATINGS (limiting values, per diode)  
Symbol  
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Value  
Unit  
VRRM  
60  
V
A
A
IF(RMS)  
IF(AV)  
30  
RMS forward current  
5
10  
Average  
forward current  
ISOWATT220AB Tc =130°C  
TO220FPAB δ = 0.5  
Per diode  
Per device  
IFSM  
IRRM  
PARM  
Tstg  
180  
1
A
A
Surge non repetitive forward current  
Repetitive peak reverse current  
Repetitive peak avalanche power  
Storage temperature range  
tp = 10 ms Sinusoidal  
tp = 2 µs square F = 1kHz  
tp = 1µs Tj = 25°C  
4000  
W
- 65 to + 175  
150  
°C  
°C  
V/µs  
Tj  
Maximum operating junction temperature *  
Critical rate of rise reverse voltage  
dV/dt  
10000  
dPtot  
1
* :  
<
thermal runaway condition for a diode on its own heatsink  
dTj  
Rth(j − a)  
July 2003 - Ed: 3C  
1/5  
12345

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STPS10L60CFP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MBRF2060CTG ONSEMI

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