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STPS10L45CG

更新时间： 2024-11-25 22:53:19
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 整流二极管
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7页 136K
描述
LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER

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STPS10L45CG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-263包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.78其他特性：FREEWHEELING DIODE
应用：POWER外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.59 V
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：2
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最大输出电流：5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：45 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

STPS10L45CG 数据手册

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®
STPS10L45CT/CG/CF/CFP  
LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER  
MAIN PRODUCTS CHARACTERISTICS  
A1  
A2  
IF(AV)  
VRRM  
2x5 A  
45 V  
K
K
Tj (max)  
VF (max)  
150°C  
0.46 V  
FEATURES AND BENEFITS  
■
■
■
LOW FORWARD VOLTAGE DROP MEANING  
VERY SMALL CONDUCTION LOSSES  
A2  
A2  
LOW SWITCHING LOSSES ALLOWING HIGH  
FREQUENCY OPERATION  
A1  
K
A1  
D2PAK  
INSULATED  
TO-220FPAB  
PACKAGE:  
ISOWATT220AB,  
TO-220FPAB  
STPS10L45CFP  
STPS10L45CG  
Insulating voltage = 2000V DC  
Capacitance = 12pF  
■
AVALANCHE CAPABILITY SPECIFIED  
DESCRIPTION  
Dual center tap Schottky rectifiers suited for  
Switched Mode Power Supplies and high  
frequency DC to DC converters.  
A2  
A2  
K
K
A1  
A1  
Packaged in TO-220AB, ISOWATT220AB,  
TO-220FPAB and D2PAK, these devices are  
intended for use in low voltage, high frequency  
inverters, free-wheeling and polarity protection  
applications.  
ISOWATT220AB  
STPS10L45CF  
TO-220AB  
STPS10L45CT  
ABSOLUTE RATINGS (limiting values, per diode)  
Symbol  
VRRM  
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Value  
45  
Unit  
V
A
A
IF(RMS)  
IF(AV)  
20  
RMS forward current  
5
10  
Average  
forward current  
TO-220AB  
D2PAK  
Tc =135°C Per diode  
δ = 0.5 Per device  
5
10  
A
ISOWATT220AB Tc =115°C Per diode  
TO-220FPAB δ = 0.5 Per device  
IFSM  
IRRM  
IRSM  
PARM  
Tstg  
150  
A
A
Surge non repetitive forward current  
Repetitive peak reverse current  
Non repetitive peak reverse current  
Repetitive peak avalanche power  
Storage temperature range  
tp = 10 ms Sinusoidal  
tp = 2 µs square F=1kHz  
tp = 100 µs square  
tp = 1µs Tj = 25°C  
1
2
A
2700  
W
- 65 to + 150  
150  
°C  
°C  
V/µs  
Tj  
Maximum operating junction temperature *  
dV/dt  
dPtot  
10000  
Critical rate of rise of reverse voltage  
1
* :  
<
thermal runaway condition for a diode on its own heatsink  
dTj  
Rth(j − a)  
July 2003 - Ed: 3B  
1/7  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STPS10L45CG-TR ETC

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