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STPS10L40CG PDF预览

STPS10L40CG

更新时间： 2024-02-28 02:12:48
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 整流二极管
页数 文件大小 规格书
6页 85K
描述
LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER

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STPS10L40CG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：11 weeks风险等级：1.27
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：POWER
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.46 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最大输出电流：5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：40 V
最大反向电流：50000 µA子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

STPS10L40CG 数据手册

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STPS10L40CT/CG/CF  
LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER  
MAIN PRODUCTS CHARACTERISTICS  
A1  
A2  
K
IF(AV)  
VRRM  
2x5 A  
40 V  
K
Tj (max)  
VF (max)  
150°C  
0.46 V  
A2  
FEATURES AND BENEFITS  
A1  
LOW FORWARD VOLTAGE DROP MEANING  
VERY SMALL CONDUCTION LOSSES  
LOW DYNAMIC LOSSES AS A RESULT OF  
THE SCHOTTKY BARRIER  
D2PAK  
STPS10L40CG  
AVALANCHERATED  
DESCRIPTION  
A2  
Dual center tap Schottky rectifiers suited for  
Switched Mode Power Supplies and high  
frequencyDC to DC converters.  
A2  
K
K
A1  
A1  
ISOWATT220AB  
STPS10L40CF  
TO-220AB  
STPS10L40CT  
Packaged in TO-220AB, ISOWATT220AB and  
D2PAK, these devices are intended for use in low  
voltage, high frequency inverters, free-wheeling  
and polarityprotectionapplications.  
ABSOLUTE RATINGS (limiting values, per diode)  
Symbol  
Parameter  
Repetitivepeak reverse voltage  
Value  
Unit  
VRRM  
40  
V
A
A
IF(RMS)  
IF(AV)  
20  
RMS forward current  
5
Average forward current  
Tc = 135°C Per diode  
10  
δ = 0.5  
Per device  
IFSM  
IRRM  
IRSM  
Tstg  
150  
A
A
Surge non repetitiveforward current  
Repetitivepeak reverse current  
Non repetitive peak reverse current  
Storage temperaturerange  
tp = 10 ms Sinusoidal  
tp=2 µs squareF=1kHz  
tp = 100 µs square  
1
2
A
- 65 to + 150  
150  
°C  
°C  
V/µs  
Tj  
Maximum operating junction temperature *  
Critical rate of rise of reverse voltage  
dV/dt  
10000  
dPtot  
dTj  
1
* :  
<
thermal runawaycondition for a diode on its own heatsink  
Rth(j−a)  
July 1999 - Ed: 4A  
1/6  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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