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STPS10L25

更新时间： 2024-02-19 13:21:50
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5页 91K
描述
LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER

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STPS10L25 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-263包装说明：D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：11 weeks风险等级：1.27
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：889572Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：Schottky DiodeSamacsys Package Category：Other
Samacsys Footprint Name：D2PAK STPS30SM60SG-TRSamacsys Released Date：2019-10-05 21:08:25
Is Samacsys：N应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.46 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：200 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：25 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

STPS10L25 数据手册

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STPS10L25D/G  
®
LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER  
MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
VRRM  
10 A  
25 V  
K
Tj (max)  
VF (max)  
150 °C  
0.35 V  
A
FEATURES AND BENEFITS  
A
NC  
K
VERY LOW FORWARD VOLTAGE DROP FOR  
LESS POWER DISSIPATION  
OPTIMIZED CONDUCTION  
/
REVERSE  
LOSSES TRADE-OFF WHICH MEANS THE  
HIGHEST EFFICIENCY IN THE APPLICA-  
TIONS  
D2PAK  
STPS10L25G  
TO-220AC  
STPS10L25D  
AVALANCHE CAPABILITY SPECIFIED  
DESCRIPTION  
Single Schottky rectifier suited to Switched Mode  
Power Supplies and high frequency DC to DC  
converters.  
This device is especially intended for use as a  
rectifier at the secondary of 3.3V SMPS units.  
ABSOLUTE RATINGS (limiting values)  
Symbol  
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Value  
Unit  
VRRM  
25  
V
A
IF(RMS) RMS forward current  
30  
IF(AV)  
IFSM  
IRRM  
IRSM  
PARM  
Tstg  
Average forward current  
Tc = 140°C δ = 0.5  
10  
A
Surge non repetitive forward current  
Repetitive peak reverse current  
Non repetitive peak reverse current  
Repetitive peak avalanche power  
Storage temperature range  
tp = 10 ms Sinusoidal  
tp=2 µs square F=1kHz  
tp = 100 µs square  
200  
A
1
3
A
A
tp = 1µs Tj = 25°C  
5500  
W
°C  
°C  
V/µs  
- 65 to + 150  
150  
Tj  
Maximum operating junction temperature *  
Critical rate of rise of reverse voltage  
dV/dt  
10000  
dPtot  
1
* :  
<
thermal runaway condition for a diode on its own heatsink  
dTj  
Rth(j − a)  
July 2003 - Ed : 4B  
1/5  
12345

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