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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> STPS10H100CR
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STPS10H100CR

更新时间： 2024-11-25 22:50:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 高压高电压电源
页数 文件大小 规格书
7页 112K
描述
HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER

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STPS10H100CR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：PLASTIC, I2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.81其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT
应用：HIGH VOLTAGE POWER外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.61 V
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：180 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最大输出电流：5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：245
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

STPS10H100CR 数据手册

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STPS10H100CT/CG/CR/CFP  
®
HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER  
MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS  
A1  
A2  
K
IF(AV)  
VRRM  
2 x 5 A  
100 V  
K
Tj  
175°C  
0.61 V  
VF (max)  
K
FEATURES AND BENEFITS  
A2  
A2  
■
HIGH JUNCTION TEMPERATURE CAPABILITY  
K
A1  
A1  
I2PAK  
STPS10H100CR  
FOR CONVERTERS LOCATED IN CONFINED  
ENVIRONMENT  
D2PAK  
STPS10H100CG  
■
■
■
LOW LEAKAGE CURRENT AT HIGH  
TEMPERATURE  
LOW STATIC AND DYNAMIC LOSSES AS A  
RESULT OF THE SCHOTTKY BARRIER  
AVALANCHE CAPABILITY SPECIFIED  
DESCRIPTION  
A2  
A2  
K
A1  
K
Schottky barrier rectifier designed for high  
frequency miniature Switched Mode Power  
Supplies such as adaptators and on board  
DC/DC converters. Packaged in TO-220AB,  
TO-220FPAB, D2PAK and I2PAK.  
A1  
TO-220FPAB  
STPS10H100CFP  
TO-220AB  
STPS10H100CT  
ABSOLUTE RATINGS (limiting values, per diode)  
Symbol  
Parameter  
Value  
100  
10  
Unit  
VRRM Repetitive peak reverse voltage  
IF(RMS) RMS forward current  
V
A
A
IF(AV)  
Average forward  
current δ = 0.5  
TO-220AB  
Tc = 165°C  
Tc = 160°C  
per diode  
per device  
5
10  
D2PAK / I2PAK  
TO-220FPAB  
IFSM  
IRRM  
Surge non repetitive forward current  
Repetitive peak reverse current  
tp = 10 ms sinusoidal  
tp = 2 µs square F = 1kHz  
tp = 1µs Tj = 25°C  
180  
1
A
A
PARM Repetitive peak avalanche power  
7200  
W
Tstg  
Tj  
Storage temperature range  
- 65 to + 175  
175  
°C  
°C  
V/µs  
Maximum operating junction temperature *  
dV/dt Critical rate of rise of reverse voltage  
10000  
dPtot  
dTj  
1
* :  
<
thermal runaway condition for a diode on its own heatsink  
Rth(j − a)  
July 2003 - Ed: 3F  
1/7  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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