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STPRF1660CT PDF预览

STPRF1660CT

更新时间： 2024-01-08 06:30:53
品牌 Logo 应用领域
SIRECTIFIER 二极管快恢复二极管超快恢复二极管功效局域网快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
2页 100K
描述
快速恢复二极管Fast Recovery Diodes，超快恢复二极管Ultra Fast Recovery Diodes，Tj = -40°C ~ 125°C, Tjm = 125°C。

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STPRF1660CT 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.6
Is Samacsys：N其他特性：UL RECOGNIZED
应用：EFFICIENCY配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：200 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：16 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向恢复时间：0.05 µs表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

STPRF1660CT 数据手册

 浏览型号STPRF1660CT的Datasheet PDF文件第2页 
STPRF1650CT thru STPRF1660CT  
Ultra Fast Recovery Diodes  
Dimensions TO-220AB  
Dim.  
Inches  
Min. Max.  
Milimeter  
Min. Max.  
A
C
A
A
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
Q
R
0.500 0.550  
0.580 0.630  
0.390 0.420  
0.139 0.161  
0.230 0.270  
0.100 0.125  
0.045 0.065  
0.110 0.230  
0.025 0.040  
12.70 13.97  
14.73 16.00  
9.91 10.66  
C
C(TAB)  
A
3.54  
5.85  
2.54  
1.15  
2.79  
0.64  
2.54  
4.32  
1.14  
0.35  
2.29  
4.08  
6.85  
3.18  
1.65  
5.84  
1.01  
BSC  
4.82  
1.39  
0.56  
2.79  
A=Anode, C=Cathode, TAB=Cathode  
VRRM  
V
VRMS  
V
VDC  
V
0.100  
BSC  
0.170 0.190  
0.045 0.055  
0.014 0.022  
0.090 0.110  
STPRF1650CT 500  
STPRF1660CT 600  
350  
420  
500  
600  
Symbol  
Characteristics  
Maximum Ratings  
Unit  
I(AV)  
IFSM  
VF  
Maximum Average Forward Rectified Current @TC=100oC  
16  
A
A
Peak Forward Surge Current 8.3ms Single Half-Sine-Wave  
Superimposed On Rated Load (JEDEC METHOD)  
125  
1.5  
Maximum Forward Voltage At 8.0A DC  
V
Maximum DC Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TJ=25oC  
5
500  
IR  
uA  
@TJ=100oC  
CJ  
Typical Junction Capacitance Per Element (Note 1)  
Maximum Reverse Recovery Time (Note 2)  
Typical Thermal Resistance (Note 3)  
80  
50  
pF  
ns  
oC/W  
oC  
TRR  
ROJC  
1.5  
TJ,TSTG Operating And Storage Temperature Range  
-55 to +150  
NOTES: 1. Measured At 1.0MHz And Applied Reverse Voltage Of 4.0V DC.  
2. Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A.  
3. Thermal Resistance Junction To Case.  
FEATURES  
MECHANICAL DATA  
* Glass passivated chip  
* Case: TO-220AB molded plastic  
* Polarity: As marked on the body  
* Weight: 0.08 ounces, 2.24 grams  
* Mounting position: Any  
* Superfast switching time for high efficiency  
* Low forward voltage drop and high current capability  
* Low reverse leakage current  
* High surge capacity  
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