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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.25 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 370 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.8 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.8 A | 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 110 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 40 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 24 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大开启时间（吨）： | 93 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP6N60M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、1.06 Ohm典型值、4.5 A MDmesh M2功率MOSFET， |
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| STP6N62K3 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 620 V, 0.95 Ω typ., 5.5 A SuperMES |
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| STP6N62K3 | STATEK |
获取价格 |
N-channel 620 V, 0.95 Ω typ., 5.5 A SuperMES |
|
| STP6N80K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道800 V、1.3 Ohm典型值、4.5 A MDmesh K5功率MOSFET，T |
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| STP6N90K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道900 V、0.91 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET，TO |
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| STP6N95K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 950 V, 1 Ω typ., 9 A Zener-protect |
|
| STP6NA50 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
6.3A, 500V, 1.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN |
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| STP6NA50FI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4A, 500V, 1.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ISOWATT220, 3 PIN |
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| STP6NA60 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
|
| STP6NA60FI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
|
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