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STP6N25FI

更新时间： 2024-09-26 22:50:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 195K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS

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STP6N25FI 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.26Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：40 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A最大漏极电流 (ID)：4 A
最大漏源导通电阻：1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：35 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：24 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STP6N25FI 数据手册

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STP6N25  
STP6N25FI  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOS TRANSISTORS  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STP6N25  
STP6N25FI  
250 V  
250 V  
< 1 Ω  
< 1 Ω  
6 A  
4 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.7 Ω  
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY  
100% AVALANCHE TESTED  
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
APPLICATION ORIENTED  
3
3
2
2
1
1
CHARACTERIZATION  
APPLICATIONS  
TO-220  
ISOWATT220  
■
■
■
■
■
HIGH SPEED SWITCHING  
UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS)  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
INDUSTRIAL ACTUATORS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS FOR  
TELECOM, INDUSTRIAL AND CONSUMER  
ENVIRONMENT  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
■
PARTICULARLY SUITABLE FOR  
ELECTRONIC FLUORESCENT LAMP  
BALLASTS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP6N25  
STP6N25FI  
VDS  
VDG R  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
250  
250  
V
V
± 20  
V
6
4
4
2.6  
24  
A
ID  
A
IDM(•)  
Ptot  
24  
70  
0.56  
A
Total Dissipation at Tc = 25 oC  
35  
W
W/oC  
Derating Factor  
0.28  
2000  
VISO  
Tstg  
Tj  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
-65 to 150  
150  
oC  
oC  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/10  
June 1993  
1234567...10

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与STP6N25FI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP6N50 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP6N50FI STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 620 V, 0.95 Ω typ., 5.5 A SuperMES
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 		N-channel 950 V, 1 Ω typ., 9 A Zener-protect
STP6NA50 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		6.3A, 500V, 1.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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