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STP5NB40FP

更新时间： 2024-01-29 05:27:52
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
7页 73K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET

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STP5NB40FP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220FP包装说明：TO-220FP, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.24
雪崩能效等级（Eas）：200 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.1 A最大漏极电流 (ID)：4.7 A
最大漏源导通电阻：1.8 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：35 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：19 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STP5NB40FP 数据手册

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STP5NB40  
STP5NB40FP  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
PowerMESH  
MOSFET  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STP5NB40  
STP5NB40FP  
400 V  
400 V  
< 1.8 Ω  
< 1.8 Ω  
4.7 A  
3.1 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 1.47 Ω  
100% AVALANCHE TESTED  
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE CHARGE MINIMIZED  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
3
3
2
1
2
1
DESCRIPTION  
Using the latest high voltage MESH OVERLAY  
process, SGS-Thomson has designed an  
advanced family of Power MOSFETs with  
outstanding performance. The new patent  
pending strip layout coupled with the Company’s  
proprietary edge termination structure, gives the  
lowest RDS(on) per area, exceptional avalanche  
and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge  
and switching characteristics.  
TO-220  
TO-220FP  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
STP5NB40FP  
Unit  
STP5NB40  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
400  
400  
± 30  
V
V
V
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
4.7  
3
3.1  
2
A
ID  
A
I
DM(• )  
19  
19  
A
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 oC  
80  
35  
W
Derating Factor  
0.64  
4.5  
0.28  
4.5  
2000  
W/oC  
V/ns  
V
oC  
oC  
dv/dt(1) Peak Diode Recovery voltage slope  
VISO  
Tstg  
Tj  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
-65 to 150  
150  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
(1) ISD ≤ 5A, di/dt ≤ 200 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
1/7  
October 1997  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		N - CHANNEL 600V - 1.8ohm - 5A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET
STP5NB60FP STMICROELECTRONICS

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