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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.63 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 110 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 800 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.8 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.8 A | 最大漏源导通电阻： | 2.4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 19 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP5NA90 | ETC |
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| STP5NB100 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 1000V - 2.4ohm - 5A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET |
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| STP5NB100FP | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 1000V - 2.4ohm - 5A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET |
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| STP5NB40 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET |
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| STP5NB40FP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET |
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| STP5NB60 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 600V - 1.8ohm - 5A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET |
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| STP5NB60FP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 600V - 1.8ohm - 5A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET |
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| STP5NB80 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 800V - 1.8ohm - 5A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET |
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| STP5NB80FP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 800V - 1.8ohm - 5A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET |
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| STP5NB90 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 900V - 2.3 ohm - 5A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET |
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