是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | TO-220, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | 风险等级: | 5.61 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 200 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 600 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 4 A | 最大漏极电流 (ID): | 4 A |
最大漏源导通电阻: | 1.5 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 69 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 16 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STU5N62K3 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 620 V, 1.28 ohm, 4.2 A SuperMESH3 Power MOSFET | |
STP5N62K3 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 620 V, 1.28 ohm, 4.2 A SuperMESH3 Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STP4NM60_09 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 1.3 Ω, 3 A TO-220, DPAK, IPA | |
STP50 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | TO-220AB | |
STP5010AMBUS50 | ETC |
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Microprocessor | |
STP5011BMBUS50 | ETC |
获取价格 |
Microprocessor | |
STP5011BMBUS60 | ETC |
获取价格 |
Microprocessor | |
STP5011DMBUS-75 | ETC |
获取价格 |
32-Bit Microprocessor | |
STP5022BMBUS50 | ETC |
获取价格 |
Microprocessor | |
STP50N05L | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-220 | |
STP50N05LFI | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-220VAR | |
STP50N06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |