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STN5PF02V PDF预览

STN5PF02V

更新时间： 2024-09-15 03:30:47
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管驱动
页数 文件大小 规格书
12页 195K
描述
P-channel 20V - 0.065з - 4.2A - SOT-223 2.5V - Drive STripFET⑩ II Power MOSFET

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STN5PF02V 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-223包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.8
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.2 A最大漏极电流 (ID)：4.2 A
最大漏源导通电阻：0.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.5 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：17 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STN5PF02V 数据手册

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STN5PF02V  
P-channel 20V - 0.065Ω - 4.2A - SOT-223  
2.5V - Drive STripFET™ II Power MOSFET  
General features  
Type  
VDSS  
RDS(on)  
<0.080Ω  
ID  
STN5PF02V  
20V  
4.2A  
2
■ Ultra low threshold gate drive (2.5V)  
3
2
■ Standard outline for easy automated surface  
1
mount assembly  
SOT-223  
Description  
This Power MOSFET is the latest development of  
STMicroelectronics unique “single feature size™”  
strip-based process. The resulting transistor  
shows extremely extremely low on-resistance  
when driven at 2.5V.  
Internal schematic diagram  
Applications  
■ Switching application  
Order codes  
Part number  
Marking  
Package  
Packaging  
STN5PF02V  
N5PF02V  
SOT-223  
Tape & reel  
August 2006  
Rev 3  
1/12  
www.st.com  
12  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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