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STS3DPF60L

更新时间: 2024-01-29 23:33:27
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 293K
描述
DUAL P-CHANNEL 60V - 0.10 ohm - 3A SO-8 STripFET MOSFET

STS3DPF60L 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOT包装说明:SOP-8
针数:8Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.82
Is Samacsys:N其他特性:LOW THRESHOLD
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):3 A最大漏极电流 (ID):3 A
最大漏源导通电阻:0.16 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G8JESD-609代码:e4
湿度敏感等级:1元件数量:2
端子数量:8工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):2 W最大脉冲漏极电流 (IDM):12 A
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

STS3DPF60L 数据手册

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STS3DPF60L  
DUAL P-CHANNEL 60V - 0.10 - 3A SO-8  
STripFET™ MOSFET  
Table 1: General Features  
Figure 1: Package  
TYPE  
V
R
I
D
DSS  
DS(on)  
STS3DPF60L  
60 V  
< 0.12 Ω  
3 A  
TYPICAL R (on) = 0.10 @ 10V  
DS  
STANDARD OUTLINE FOR EASY  
AUTOMATED SURFACE MOUNT  
ASSEMBLYY  
LOW THRESHOLD DRIVE  
DESCRIPTION  
SO-8  
This MOSFET is the latest development of STMi-  
croelectronis unique "Single Feature Size™" strip-  
based process. The resulting transistor shows ex-  
tremely high packing density for low on-resistance,  
rugged avalanche characteristics and less critical  
alignment steps therefore a remarkable manufac-  
turing reproducibility.  
Figure 2: Internal Schematic Diagram  
APPLICATIONS  
DC-DC CONVERTERS  
Table 2: Order Codes  
PART NUMBER  
MARKING  
PACKAGE  
PACKAGING  
STS3DPF60L  
S3DPF60L  
SO-8  
TAPE & REEL  
Rev. 1  
September 2004  
1/9  

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