2N2905

更新时间： 2024-02-29 13:46:45

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		开关放大器
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5页	51K
描述
GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS AND SWITCHES

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2N2905 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-39
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.08
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-39	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
最大关闭时间（toff）：	180 ns	最大开启时间（吨）：	45 ns
Base Number Matches：	1

2N2905 数据手册

2N2905

2N2907

GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS AND SWITCHES

DESCRIPTION

The 2N2905 and 2N2907 are silicon planar

epitaxial PNP transistors in Jedec TO-39 (for

2N2905) and in Jedec TO-18 (for 2N2907) metal

case. They are designed for high speed saturated

switching and general purpose application.

2N2905 approved to CECC 50002-102,

2N2907 approved to CECC 50002-103

available on request.

TO-18

TO-39

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage (I_E= 0)

Collector-Emitter Voltage (I_B= 0)

Emitter-Base Voltage (I_C= 0)

Collector Current

Value

-60

Unit

-40

-5

-0.6

P_tot

Total Dissipation at T_amb≤ 25 ^oC

for 2N2905

0.6

0.4

for 2N2907

at T_case≤ 25 ^oC

for 2N2905

1.8

for 2N2907

T_stg

T_j

Storage Temperature

-65 to 200

200

^oC

Max. Operating Junction Temperature

1/5

November 1997

12 3 4 5

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