2N2221

更新时间： 2024-02-24 08:55:35

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
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描述
HIGH-SPEED SWITCHES

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2N2221 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.65	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JEDEC-95代码：	MO-041BB
JESD-30 代码：	R-CDSO-N6	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	Base Number Matches：	1

2N2221 数据手册

2N2218-2N2219

2N2221-2N2222

HIGH-SPEED SWITCHES

DESCRIPTION

The 2N2218, 2N2219, 2N2221 and 2N2222 are sili-

con planar epitaxial NPN transistors in Jedec

TO-39 (for 2N2218 and 2N2219) and in Jedec

TO-18 (for 2N2221 and 2N2222) metal cases. They

are designed for high-speed switching applications

at collector currents up to 500 mA, and feature use-

ful current gain over a wide range of collector cur-

rent, low leakage currents and low saturation volt-

ages.

2N2218/2N2219 approved to CECC 50002-

100, 2N2221/2N2222 approved to CECC

50002-101 available on request.

TO-39

TO-18

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-base Voltage (I_E= 0)

Value

Unit

Collector-emitter Voltage (I_B= 0)

Emitter-base Voltage (I_C= 0)

Collector Current

0.8

P_{to t}

Total Power Dissipation at T_amb≤ 25 °C

for 2N2218 and 2N2219

for 2N2221 and 2N2222

at T_{cas e}≤ 25 °C

0.8

0.5

for 2N2218 and 2N2219

for 2N2221 and 2N2222

1.8

T_stg

T_j

Storage Temperature

Junction Temperature

– 65 to 200

175

°C

January 1989

1/5

12 3 4 5

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