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1N5226BAR2

更新时间: 2024-01-11 12:51:08
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 测试二极管
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5页 127K
描述
3.3V, 0.5W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35

1N5226BAR2 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2膝阻抗最大值:1600 Ω
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:3.3 V最大反向电流:25 µA
表面贴装:NO技术:ZENER
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
电压温度Coeff-Max:最大电压容差:5%
工作测试电流:20 mABase Number Matches:1

1N5226BAR2 数据手册

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