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1N4778A

更新时间: 2024-01-19 18:50:38
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 测试二极管
页数 文件大小 规格书
3页 75K
描述
8.5V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE

1N4778A 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.87
配置:SINGLE二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:200 ΩJESD-609代码:e0
元件数量:1最高工作温度:175 °C
最大功率耗散:0.25 W标称参考电压:8.5 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)最大电压容差:5%
工作测试电流:0.5 mABase Number Matches:1

1N4778A 数据手册

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