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1N4776A

更新时间: 2024-02-09 07:06:07
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 测试二极管
页数 文件大小 规格书
3页 75K
描述
8.5V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE

1N4776A 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred零件包装代码:DO-7
包装说明:HERMETIC SEALED, GLASS, DO-7, 2 PIN针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.48
其他特性:METALLURGICALLY BONDED外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:200 Ω
JEDEC-95代码:DO-204AAJESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:0.25 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:8.5 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
电压温度Coeff-Max:0.425 mV/ °C最大电压容差:5%
工作测试电流:0.5 mA

1N4776A 数据手册

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