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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
测试二极管 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 1页 | 38K |  |
| 描述 | ||
| 6.4V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE | ||
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | O-LELF-R2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.68 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| 最大动态阻抗： | 50 Ω | JESD-30 代码： | O-LELF-R2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 0.5 W | 参考标准： | MIL-19500 |
| 标称参考电压： | 6.4 V | 最大反向电流： | 2 µA |
| 反向测试电压： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WRAP AROUND | 端子位置： | END |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 电压温度Coeff-Max： | 0.32 mV/ °C |
| 最大电压容差： | 5% | 工作测试电流： | 2 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 1N4576-1 | MICROSEMI | 6.4 Volt Temperature Compensated Zener Reference Diodes |
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| 1N4576-1-1 | MICROSEMI | 6.4 Volt Temperature Compensated Zener Reference Diodes |
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| 1N4576-1-1PCTTR | MICROSEMI | Zener Diode, |
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| 1N4576-1-2 | MICROSEMI | 6.4 Volt Temperature Compensated Zener Reference Diodes |
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| 1N4576-1-3 | MICROSEMI | 6.4 Volt Temperature Compensated Zener Reference Diodes |
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| 1N4576-1-3PCT | MICROSEMI | 暂无描述 |
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