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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | 测试二极管 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
1页 | 38K | |
描述 | ||
6.4V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | O-LELF-R2 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.6 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | ZENER DIODE |
最大动态阻抗: | 200 Ω | JESD-30 代码: | O-LELF-R2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 0.5 W |
标称参考电压: | 6.4 V | 最大反向电流: | 2 µA |
反向测试电压: | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | ZENER | 端子形式: | WRAP AROUND |
端子位置: | END | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
电压温度Coeff-Max: | 0.32 mV/ °C | 最大电压容差: | 5% |
工作测试电流: | 0.5 mA | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
1N4566-1 | MICROSEMI | 6.4 Volt Temperature Compensated Zener Reference Diodes |
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1N4566-1-1 | MICROSEMI | 6.4 Volt Temperature Compensated Zener Reference Diodes |
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1N4566-1-2 | MICROSEMI | 6.4 Volt Temperature Compensated Zener Reference Diodes |
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1N4566-1-2PCTTR | MICROSEMI | Zener Diode, |
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1N4566-1-3 | MICROSEMI | 6.4 Volt Temperature Compensated Zener Reference Diodes |
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1N4566-1-3PCT | MICROSEMI | Zener Diode, |
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