5秒后页面跳转
1N3327BR PDF预览

1N3327BR

更新时间: 2024-02-23 08:24:20
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 测试二极管
页数 文件大小 规格书
2页 137K
描述
ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,39V V(Z),5%,DO-5

1N3327BR 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.78配置:SINGLE
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:4 Ω
元件数量:1最高工作温度:175 °C
最大功率耗散:50 W标称参考电压:39 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
最大电压容差:5%工作测试电流:320 mA
Base Number Matches:1

1N3327BR 数据手册

 浏览型号1N3327BR的Datasheet PDF文件第2页 

与1N3327BR相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
1N3327BTIN/LEAD CENTRAL Zener Diode, 39V V(Z), 5%, 50W,

获取价格

1N3327CE3 MICROSEMI Zener Diode, 39V V(Z), 2%, 50W, Silicon, Unidirectional, DO-203AB

获取价格

1N3327COX.160 MICROSEMI Zener Diode, 39V V(Z), 20%, Silicon, Unidirectional,

获取价格

1N3327COX.200 MICROSEMI Zener Diode, 39V V(Z), 20%, Silicon, Unidirectional,

获取价格

1N3327COX.250 MICROSEMI Zener Diode, 39V V(Z), 20%, Silicon, Unidirectional,

获取价格

1N3327E3 MICROSEMI Zener Diode, 39V V(Z), 20%, 50W, Silicon, Unidirectional, DO-203AB, HERMETIC SEALED, METAL

获取价格