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1534-1

更新时间： 2022-11-25 18:15:32

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管射频微波电子航空
页数	文件大小	规格书
3页	45K
描述
RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS

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1534-1 数据手册

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SD1534-01

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

AVIONICS APPLICATIONS

.

DESIGNED FOR HIGH POWER PULSED

IFF, DME, TACAN APPLICATIONS

80 WATTS (typ.) IFF 1030 - 1090 MHz

75 WATTS (min.) DME 1025 - 1150 MHz

50 WATTS (typ.) TACAN 960 - 1215 MHz

8.0 dB MIN. GAIN

.

.

.

.

.

.

REFRACTORY GOLD METALLIZATION

.280 4LSL (M115)

EMITTER BALLASTING AND LOW

THERMAL RESISTANCE FOR

RELIABILITY AND RUGGEDNESS

INFINITE LOAD VSWR CAPABILITY AT

SPECIFIED OPERATING CONDITIONS

epoxy sealed

ORDER CODE

SD1534-01

BRANDING

1534-1

.

.

INPUT MATCHED, COMMON BASE

CONFIGURATION

PIN CONNECTION

DESCRIPTION

The SD1534-01 is a gold metallized silicon, NPN

power transistor designed for applications requiring

high peak power and low duty cycles such as

IFF, DME and TACAN. The SD1534-01 is pack-

aged in the .280" input matched stripline package

resulting in improved broadband performance and

a low thermal resistance.

1. Collector

2. Base

3. Emitter

4. Base

°

= 25 C)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

case

Symbol

V_CBO

V_CES

V_EBO

I_C

Parameter

Value

65

Unit

V

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Device Current

65

V

3.5

V

5.5

A

P_DISS

T_J

Power Dissipation

218.7

+200

W

°

°

Junction Temperature

Storage Temperature

C

C

T_STG

65 to +150

−

THERMAL DATA

R_TH(j-c)

Junction-Case Thermal Resistance

0.8

°C/W

1/3

November 1992

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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