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1528-8

更新时间： 2022-11-25 14:10:19

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管射频微波电子航空
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描述
RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS

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SD1528-08

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

AVIONICS APPLICATIONS

.

DESIGNED FOR HIGH POWER PULSED

IFF, DME, TACAN APPLICATIONS

20 WATTS (typ.) IFF 1030 - 1090 MHz

15 WATTS (min.) DME 1025 - 1150 MHz

15 WATTS (typ.) TACAN 960 - 1215 MHz

10 dB MIN. GAIN

.

.

.

.

.

.

REFRACTORY GOLD METALLIZATION

.250 SQ. 2LFL (M105)

EMITTER BALLASTING AND LOW

THERMAL RESISTANCE

hermetically sealed

ORDER CODE

BRANDING

1528-8

.

.

20:1 LOAD VSWR CAPABILITY AT

SPECIFIED OPERATING CONDITIONS

INPUT MATCHED, COMMON BASE

CONFIGURATION

SD1528-08

PIN CONNECTION

DESCRIPTION

The SD1528-08 is a gold metallized, silicon NPN

power transistor. The SD1528-08 is designed for

applications requiring high peak power and low

duty cycles such as IFF, DME and TACAN. The

SD1528-08 is packaged in the .250” input matched

hermetic stripline flange package resulting in im-

proved broadband performance and a low thermal

resistance.

1. Collector

2. Base

3. Emitter

°

= 25 C)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

case

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

65

Unit

Collector-Base Voltage

V

V

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Device Current

65

3.5

V

1.5

A

P_DISS

T_J

Power Dissipation

87.5

+200

W

°

Junction Temperature

Storage Temperature

C

C

°

T_STG

65 to +150

−

THERMAL DATA

R_TH(j-c)

Junction-Case Thermal Resistance

2.0

°C/W

1/4

November 1992

12 3 4

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