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STM8305

更新时间: 2024-11-02 04:30:19
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三合微科 - SAMHOP 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 1119K
描述
Dual E nhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)

STM8305 数据手册

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S TM8305  
S amHop Microelectronics C orp.  
May,13 2005  
Dual E nhancement Mode Field E ffect Transistor ( N and P C hannel)  
(N-C hannel)  
(P -C hannel)  
PR ODUCT S UMMAR Y  
PR ODUCT S UMMAR Y  
VDS S  
R
DS (ON) ( m  
) Max  
VDS S  
ID  
ID  
R
DS (ON) ( m  
) Max  
25 @ VG S = 10V  
45 @ VG S = -10V  
60 @ VG S = -4.5V  
-30V  
-5.3A  
7A  
30V  
40 @ VG S = 4.5V  
D1 D1 D2 D2  
8
7
6
5
S O-8  
1
1
2
3
4
S 1 G 1 S 2 G 2  
ABS OLUTE MAXIMUM R ATING S (T  
P arameter  
A
=25 C unless otherwise noted)  
Unit  
V
S ymbol  
N-C hannel P -C hannel  
Drain-S ource Voltage  
V
V
DS  
G S  
30  
20  
7
-30  
20  
V
G ate-S ource Voltage  
25 C  
-5.3  
-4.2  
A
A
a
I
D
Drain C urrent-C ontinuous @ Ta  
70 C  
6
-P ulsed b  
I
DM  
-21  
A
A
29  
Drain-S ource Diode Forward C urrent a  
I
S
1.7  
-1.7  
Ta= 25 C  
Maximum P ower Dissipation a  
Ta=70 C  
2
P
D
W
C
1.44  
Operating J unction and S torage  
Temperature R ange  
-55 to 150  
TJ , TS TG  
THE R MAL C HAR AC TE R IS TIC S  
Thermal R esistance, J unction-to-Ambient a  
C
/W  
R
J A  
62.5  
1

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