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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
15页 | 793K | |
描述 | ||
N沟道600 V、390 mOhm典型值、6.4 A MDmesh M6功率MOSFET,PowerFLAT 5x6 HV封装 |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | compliant | Factory Lead Time: | 43 weeks 2 days |
风险等级: | 2.29 | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STL12P6F6 | STMICROELECTRONICS |
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P-channel 60 V, 0.13 typ., 3 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packag | |
STL12S03F | SUPERWORLD |
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2W Single Output Surface | |
STL12S05F | SUPERWORLD |
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2W Single Output Surface | |
STL12S09F | SUPERWORLD |
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2W Single Output Surface | |
STL12S12F | SUPERWORLD |
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2W Single Output Surface | |
STL12S15F | SUPERWORLD |
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2W Single Output Surface | |
STL130N6F7 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道60 V、3 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,P | |
STL130N8F7 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道80 V、3.0 mOhm典型值、120 A STripFET F7功率MOSFET | |
STL135N8F7AG | STMICROELECTRONICS |
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汽车级N沟道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MO | |
STL13N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.350 Ohm典型值、8 A MDmesh DM2功率MOSFET, |