是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-220AB | 包装说明: | ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.74 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 4 A | 集电极-发射极最大电压: | 400 V |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小直流电流增益 (hFE): | 8 |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | NPN |
最大功率耗散 (Abs): | 40 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STL128DNFP | STMICROELECTRONICS |
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High voltage fast-switching NPN power transistor | |
STL12N10F7 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道100 V、11.3 mΩ典型值、12 A STripFET F7功率MOSFET, | |
STL12N3LLH5 | STMICROELECTRONICS |
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POWER, FET | |
STL12N60M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.400 Ohm典型值、6.5 A MDmesh M2功率MOSFET | |
STL12N60M6 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、390 mOhm典型值、6.4 A MDmesh M6功率MOSFET, | |
STL12P6F6 | STMICROELECTRONICS |
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P-channel 60 V, 0.13 typ., 3 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packag | |
STL12S03F | SUPERWORLD |
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2W Single Output Surface | |
STL12S05F | SUPERWORLD |
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2W Single Output Surface | |
STL12S09F | SUPERWORLD |
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2W Single Output Surface | |
STL12S12F | SUPERWORLD |
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2W Single Output Surface |