是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | DIP, DIP28,.6 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.79 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 35 ns | JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 36.83 mm |
内存密度: | 4096 bit | 内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 512 words |
字数代码: | 512 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 512X8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP28,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.57 mm | 最大待机电流: | 0.00075 A |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.075 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STK20C04-WF35I | CYPRESS |
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Non-Volatile SRAM, 512X8, 35ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | |
STK20C04-WF35I | SIMTEK |
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512 x 8 nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS Nonvolatile | |
STK20C04-WF45 | SIMTEK |
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512 x 8 nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS Nonvolatile | |
STK20C04-WF45 | CYPRESS |
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512X8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | |
STK20C04-WF45I | SIMTEK |
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512 x 8 nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS Nonvolatile | |
STK20C04-WF45I | CYPRESS |
获取价格 |
512X8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | |
STK20N06 | STMICROELECTRONICS |
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20A, 60V, 0.07ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | |
STK20N06(SOT-194) | STMICROELECTRONICS |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
STK20N06{SOT-194} | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
20A, 60V, 0.07ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | |
STK20N3LLH5 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 30 V, 0.006 Ω, 20 A, PolarPAK® STri |