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STK16N06(SOT-194)

更新时间: 2024-09-18 20:37:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 151K
描述
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

STK16N06(SOT-194) 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84雪崩能效等级(Eas):50 mJ
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (ID):16 A
最大漏源导通电阻:0.1 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):150 pFJESD-30 代码:R-PSFM-G3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:50 W最大脉冲漏极电流 (IDM):64 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大开启时间(吨):95 nsBase Number Matches:1

STK16N06(SOT-194) 数据手册

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