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STK14C88-3W45

更新时间： 2024-09-20 20:23:51
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 280K
描述
32KX8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32

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STK14C88-3W45 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：DIP, DIP32,.6针数：32
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.75
最长访问时间：45 ns其他特性：STORE EEPROM SOFTWARE OR AUTOSTORE; 100-YEAR DATA RETENTION IN EEPROM
JESD-30 代码：R-PDIP-T32JESD-609代码：e0
长度：41.91 mm内存密度：262144 bit
内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：32
字数：32768 words字数代码：32000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：32KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP32,.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：240电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：4.83 mm
最大待机电流：0.001 A子类别：SRAMs
最大压摆率：0.035 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：15.24 mmBase Number Matches：1

STK14C88-3W45 数据手册

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STK14C88-3  
32K x 8 AutoStore™ nvSRAM  
QuantumTrap™ CMOS  
Nonvolatile Static RAM  
FEATURES  
DESCRIPTION  
• 35ns and 45ns Access Times  
The Simtek STK14C88-3 is a fast static RAM with a  
• “Hands-off” Automatic STORE with External  
68μF Capacitor on Power Down  
nonvolatile element incorporated in each static  
memory cell. The SRAM can be read and written an  
unlimited number of times, while independent, non-  
volatile data resides in nonvolatile elements. Data  
transfers from the SRAM to the nonvolatile elements  
(the STORE operation) can take place automatically  
on power down. A 68μF or larger capacitor tied from  
VCAP to ground guarantees the STORE operation,  
regardless of power-down slew rate or loss of power  
from “hot swapping”. Transfers from the nonvolatile  
• STORE to nonvolatile elements Initiated by Hard-  
ware, Software or AutoStore™  
• RECALL to SRAM Initiated by Software or Power  
Restore  
• 10mA Typical ICC at 200ns Cycle Time  
• Unlimited READ, WRITE and RECALL Cycles  
• 1,000,000 STORE Cycles to nonvolatile elements elements to the SRAM (the RECALL operation) take  
place automatically on restoration of power. Initia-  
tion of STORE and RECALL cycles can also be soft-  
ware controlled by entering specific read  
• 100-Year Data Retention in nonvolatile elements  
• Single 3.3V + 0.3V Operation  
sequences. A hardware STORE may be initiated with  
the HSB pin.  
• Commercial and Industrial Temperatures  
• 32-Pin SOIC and DIP Packages  
PIN CONFIGURATIONS  
BLOCK DIAGRAM  
V V  
CCX CAP  
Quantum Trap  
512 x 512  
POWER  
CONTROL  
1
V
HSB  
W
V
A
A
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
CCX  
CAP  
A
A
A
A
A
A
A
A
A
5
6
7
8
2
14  
STORE  
3
12  
STORE/  
RECALL  
CONTROL  
STATIC RAM  
A
A
4
A
HSB  
RECALL  
7
6
5
4
13  
ARRAY  
512 x 512  
9
5
A
8
11  
12  
13  
14  
A
A
A
6
A
9
7
A
11  
8
G
NC  
SOFTWARE  
DETECT  
3
A
- A  
1
0
NC  
9
DQ  
DQ  
DQ  
0
1
2
COLUMN I/O  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
A
A
E
2
10  
COLUMN DEC  
A
A
1
DQ  
DQ  
3
4
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
0
7
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
V
5
6
7
0
6
A
A A A A A  
1 2 3 4 10  
0
G
1
2
5
4
3
E
SS  
W
32 - DIP  
32 - SOIC  
PIN NAMES  
A
- A  
DQ -DQ  
E
W
G
HSB  
V
V
V
SS  
0
14  
0
7
CCX  
CAP  
Address  
Inputs  
Data In/Out  
Chip  
Enable  
Write  
Enable  
Output  
Enable  
Hardware  
Store  
Power  
(+ 3.3V)  
Capacitor  
Ground  
Busy (I/O)  
January 2006  
1
Document Control # ML0015 rev 0.4  
1234567...13

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STK14C88-3W45I ETC

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