是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 7.92 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 45 ns | JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 36.83 mm |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 8KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP28,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.57 mm | 最大待机电流: | 0.0025 A |
子类别: | SRAMs | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
宽度: | 15.24 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STK12C68-WF45ITR | SIMTEK |
获取价格 |
8Kx8 AutoStore nvSRAM | |
STK12C68-WF45M | ETC |
获取价格 |
8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS No | |
STK12C68-WF45TR | SIMTEK |
获取价格 |
8Kx8 AutoStore nvSRAM | |
STK12C68-WF55 | ETC |
获取价格 |
8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS No | |
STK12C68-WF55I | ETC |
获取价格 |
8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS No | |
STK12C68-WF55M | ETC |
获取价格 |
8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS No | |
STK12N05L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR | |
STK12N05L(SOT-194) | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 50V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
STK12N06L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR | |
STK12N06L{SOT-194} | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
12A, 60V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |