是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | 0.300 INCH, CERAMIC, MO-058, DIP-28 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.78 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 35 ns | 其他特性: | STORE TO EEPROM SOFTWARE,HARDWARE, OR AUTOSTORE; RECALL SOFTWARE |
JESD-30 代码: | R-CDIP-T28 | JESD-609代码: | e4 |
长度: | 35.56 mm | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 8KX8 | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP28,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.14 mm | 最大待机电流: | 0.024 A |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.075 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STK12C68-C35 | CYPRESS |
类似代替 |
64 Kbit (8K x 8) AutoStore nvSRAM |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STK12C68-C35IM | ETC |
获取价格 |
NVRAM (EEPROM Based) | |
STK12C68-C35M | ETC |
获取价格 |
8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS No | |
STK12C68-C45 | ETC |
获取价格 |
8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS No | |
STK12C68-C45I | CYPRESS |
获取价格 |
64 Kbit (8K x 8) AutoStore nvSRAM 25 ns, 35 ns, and 45 ns access times | |
STK12C68-C45IM | ETC |
获取价格 |
NVRAM (EEPROM Based) | |
STK12C68-C45M | ETC |
获取价格 |
8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS No | |
STK12C68-C55 | SIMTEK |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28 | |
STK12C68-C55I | ETC |
获取价格 |
8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS No | |
STK12C68-C55M | ETC |
获取价格 |
8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS No | |
STK12C68-CF25 | SIMTEK |
获取价格 |
8Kx8 AutoStore nvSRAM |