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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A001.A.2.C | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.9 | 最长访问时间： | 25 ns |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 34.67 mm | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 8KX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 4.57 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 7.62 mm |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| STK11C68-5P25I | CYPRESS | 8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 25ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
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| STK11C68-5P30 | CYPRESS | 8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 30ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
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| STK11C68-5P30I | CYPRESS | 8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 30ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
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| STK11C68-5P35 | CYPRESS | 8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
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| STK11C68-5P35I | ETC | NVRAM (EEPROM Based) |
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| STK11C68-5P45 | CYPRESS | 8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
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