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STK11C68-5C25M PDF预览

STK11C68-5C25M

更新时间： 2024-09-18 19:43:55
品牌 Logo 应用领域
SIMTEK 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 314K
描述
Non-Volatile SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28

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STK11C68-5C25M 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：DIP, DIP28,.3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A001.A.2.CHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.78最长访问时间：25 ns
JESD-30 代码：R-CDIP-T28JESD-609代码：e0
长度：35.56 mm内存密度：65536 bit
内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：28
字数：8192 words字数代码：8000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：8KX8
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码：DIP
封装等效代码：DIP28,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified筛选级别：38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度：4.14 mm最大待机电流：0.0015 A
子类别：SRAMs最大压摆率：0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：7.62 mm
Base Number Matches：1

STK11C68-5C25M 数据手册

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STK11C68  
STK11C68-M SMD#5962-92324  
8K x 8 nvSRAM  
QuantumTrap™ CMOS  
Nonvolatile Static RAM  
FEATURES  
DESCRIPTION  
• 25ns, 35ns, 45ns and 55ns Access Times  
The Simtek STK11C68 is a fast static RAM with a  
nonvolatile element incorporated in each static  
memory cell. The SRAM can be read and written an  
unlimited number of times, while independent non-  
volatile data resides in the Nonvolatile Elements.  
Data transfers from the SRAM to the Nonvolatile Ele-  
ments (the STORE operation), or from Nonvolatile  
Elements to SRAM (the RECALL operation), take  
place using a software sequence. Transfers from the  
Nonvolatile Elements to the SRAM (the RECALL  
operation) also take place automatically on restora-  
tion of power.  
• STORE to Nonvolatile Elements Initiated by  
Software  
• RECALL to SRAM Initiated by Software or  
Power Restore  
• 10mA Typical ICC at 200ns Cycle Time  
• Unlimited READ, WRITE and RECALL Cycles  
• 1,000,000 STORE Cycles to Nonvolatile Ele-  
ments (Industrial/Commercial)  
• 100-Year Data Retention (Industrial/Commer-  
cial)  
• Commercial, Industrial and Military Tempera-  
tures  
• 28-Pin DIP, SOIC and LCC Packages  
The STK11C68 is pin-compatible with industry-  
standard SRAMs. MIL-STD-883 device is also  
available (STK11C68-M).  
BLOCK DIAGRAM  
PIN CONFIGURATIONS  
NC  
A12  
A7  
1
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
VCC  
W
QUANTUM TRAP  
128 x 512  
2
3
4
5
6
7
8
9
NC  
A8  
A6  
A5  
A6  
A5  
A9  
STORE  
A4  
A11  
G
A10  
E
STORE/  
RECALL  
A3  
A7  
A8  
A9  
A2  
STATIC RAM  
ARRAY  
CONTROL  
A1  
RECALL  
10  
11  
12  
13  
14  
A0  
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
DQ3  
128 x 512  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
VSS  
A11  
A12  
SOFTWARE  
DETECT  
A
- A  
12  
0
28 - LCC  
28 - DIP  
28 - SOIC  
DQ  
DQ  
DQ  
0
1
2
COLUMN I/O  
PIN NAMES  
COLUMN DEC  
DQ  
A
- A  
Address Inputs  
Write Enable  
Data In/Out  
Chip Enable  
Output Enable  
Power (+ 5V)  
Ground  
3
4
0
12  
DQ  
W
DQ  
DQ  
DQ  
5
6
7
A
A A  
A A  
1 4  
2 3  
A
0
10  
G
DQ - DQ  
0
7
E
E
W
G
V
V
CC  
SS  
September 2003  
1
Document Control # ML0007 rev 0.1  
1234567...10

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与STK11C68-5C25M相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STK11C68-5C30 CYPRESS

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 		8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 30ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28
STK11C68-5C30I CYPRESS

获取价格

 		8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 30ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28
STK11C68-5C30M ETC

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 		NVRAM (EEPROM Based)
STK11C68-5C35 CYPRESS

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 		8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28
STK11C68-5C35I CYPRESS

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 		8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28
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 		8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28
STK11C68-5C45M CYPRESS

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 		64 Kbit (8K x 8) SoftStore nvSRAM
STK11C68-5C55M CYPRESS

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