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STK11C68-5C25

更新时间： 2024-11-07 20:15:07

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赛普拉斯 - CYPRESS		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	271K
描述
8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 25ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28

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STK11C68-5C25 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP28,.3	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.78
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	25 ns
其他特性：	EEPROM SOFTWARE STORE/RECALL; RETENTION/ENDURANCE = 10 YEARS/100000 CYCLES	JESD-30 代码：	R-CDIP-T28
JESD-609代码：	e0	长度：	35.56 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	28
字数：	8192 words	字数代码：	8000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP28,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	4.2418 mm
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.085 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STK11C68-5C25I	CYPRESS	获取价格	8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 25ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28
STK11C68-5C25M	SIMTEK	获取价格	Non-Volatile SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28
STK11C68-5C30	CYPRESS	获取价格	8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 30ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28
STK11C68-5C30I	CYPRESS	获取价格	8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 30ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28
STK11C68-5C30M	ETC	获取价格	NVRAM (EEPROM Based)
STK11C68-5C35	CYPRESS	获取价格	8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28
STK11C68-5C35I	CYPRESS	获取价格	8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28
STK11C68-5C35M	CYPRESS	获取价格	64 Kbit (8K x 8) SoftStore nvSRAM
STK11C68-5C45	CYPRESS	获取价格	8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28
STK11C68-5C45I	CYPRESS	获取价格	8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28