STI19NM65N

更新时间： 2024-11-23 06:14:39

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
19页	533K
描述
N-channel 650 V - 0.25 Ω - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

STI19NM65N 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-262AA	包装说明：	ROHS COMPLIANT, TO-262, I2PAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	400 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	650 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	15.5 A
最大漏极电流 (ID)：	15.5 A	最大漏源导通电阻：	0.27 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	62 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STI19NM65N 数据手册

STF19NM65N-STI19NM65N-STW19NM65N

STB19NM65N - STP19NM65N

N-channel 650 V - 0.25 Ω - 15.5 A - TO-220/FP-D²/I²PAK-TO-247

second generation MDmesh™ Power MOSFET

Features

V_DSS

(@T_jmax

Type

R_DS(on)max

I_D

)

STB19NM65N

STF19NM65N

STI19NM65N

STP19NM65N

STW19NM65N

710 V

< 0.27 Ω

15.5 A

15.5 A⁽¹⁾

15.5 A

I²PAK

TO-220

15.5 A

TO-220FP

15.5 A

1. Limited only by maximum temperature allowed

■ 100% avalanche tested

D²PAK

TO-247

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

Figure 1.

Internal schematic diagram

Application

■ Switching applications

Description

This series of devices implements the second

generation of MDmesh™ Technology. This

revolutionary Power MOSFET associates a new

vertical structure to the Company’s strip layout to

yield one of the world’s lowest on-resistance and

gate charge. It is therefore suitable for the most

demanding high efficiency converters

Table 1.

Device summary

Order codes

Marking

Package

I²PAK

Packaging

STI19NM65N

STF19NM65N

STP19NM65N

19NM65N

Tube

TO-220FP

TO-220

D²PAK

Tube

STB19NM65NT4

STW19NM65N

Tape and reel

Tube

TO-247

February 2008

Rev 1

1/19

www.st.com

12 3 4 5 6 7...19

中文翻译

下载PDF

STI19NM65N 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STW19NM65N	STMICROELECTRONICS	类似代替	N-channel 650 V - 0.25 Ω - 15.5 A - TO-220/FP
STP19NM65N	STMICROELECTRONICS	类似代替	N-channel 650 V - 0.25 Ω - 15.5 A - TO-220/FP
SPA15N65C3	INFINEON	功能相似	CoolMOS Power Transistor

与STI19NM65N相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STI-2.5-250D/N	ETC	获取价格	Crimping tools and machines
STI20	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 200V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-5
STI200	ETC	获取价格	PAPIERTUCH 230X230MM 00 Inhalt pro Packung: 200 Stk.
STI2000	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| TO-92
STI2001	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 600MA I(C) \| TO-92
STI2002	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| TO-92
STI2003	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 600MA I(C) \| TO-92
STI2006	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 200V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-66
STI200N6F3	STMICROELECTRONICS	获取价格	120A, 60V, 0.0038ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, ROHS COMPLIANT, TO-262, I2PA
STI205	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 200V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-37VAR

与STI19NM65N相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

35
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

26
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

54
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

52

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

STI19NM65N

STI19NM65N 技术参数

STI19NM65N 数据手册

STI19NM65N 替代型号

与STI19NM65N相关器件

与STI19NM65N相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

STI19NM65N

STI19NM65N 技术参数

STI19NM65N 数据手册

STI19NM65N 替代型号

与STI19NM65N相关器件

与STI19NM65N相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？