STI19NM65N

更新时间： 2024-09-18 06:14:39

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
19页	533K
描述
N-channel 650 V - 0.25 Ω - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET

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STI19NM65N 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-262AA	包装说明：	ROHS COMPLIANT, TO-262, I2PAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	400 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	650 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	15.5 A
最大漏极电流 (ID)：	15.5 A	最大漏源导通电阻：	0.27 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	62 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STI19NM65N 数据手册

STF19NM65N-STI19NM65N-STW19NM65N

STB19NM65N - STP19NM65N

N-channel 650 V - 0.25 Ω - 15.5 A - TO-220/FP-D²/I²PAK-TO-247

second generation MDmesh™ Power MOSFET

Features

V_DSS

(@T_jmax

Type

R_DS(on)max

I_D

)

STB19NM65N

STF19NM65N

STI19NM65N

STP19NM65N

STW19NM65N

710 V

< 0.27 Ω

15.5 A

15.5 A⁽¹⁾

15.5 A

I²PAK

TO-220

15.5 A

TO-220FP

15.5 A

1. Limited only by maximum temperature allowed

■ 100% avalanche tested

D²PAK

TO-247

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

Figure 1.

Internal schematic diagram

Application

■ Switching applications

Description

This series of devices implements the second

generation of MDmesh™ Technology. This

revolutionary Power MOSFET associates a new

vertical structure to the Company’s strip layout to

yield one of the world’s lowest on-resistance and

gate charge. It is therefore suitable for the most

demanding high efficiency converters

Table 1.

Device summary

Order codes

Marking

Package

I²PAK

Packaging

STI19NM65N

STF19NM65N

STP19NM65N

19NM65N

Tube

TO-220FP

TO-220

D²PAK

Tube

STB19NM65NT4

STW19NM65N

Tape and reel

Tube

TO-247

February 2008

Rev 1

1/19

www.st.com

12 3 4 5 6 7...19

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STI19NM65N 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STW19NM65N	STMICROELECTRONICS	类似代替	N-channel 650 V - 0.25 Ω - 15.5 A - TO-220/FP
STP19NM65N	STMICROELECTRONICS	类似代替	N-channel 650 V - 0.25 Ω - 15.5 A - TO-220/FP
SPA15N65C3	INFINEON	功能相似	CoolMOS Power Transistor

与STI19NM65N相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STI-2.5-250D/N	ETC	获取价格	Crimping tools and machines
STI20	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 200V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-5
STI200	ETC	获取价格	PAPIERTUCH 230X230MM 00 Inhalt pro Packung: 200 Stk.
STI2000	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| TO-92
STI2001	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 600MA I(C) \| TO-92
STI2002	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| TO-92
STI2003	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 600MA I(C) \| TO-92
STI2006	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 200V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-66
STI200N6F3	STMICROELECTRONICS	获取价格	120A, 60V, 0.0038ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, ROHS COMPLIANT, TO-262, I2PA
STI205	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 200V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-37VAR

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