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STI18N65M5 PDF预览

STI18N65M5

更新时间： 2024-09-26 20:04:43
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
19页 934K
描述
POWER, FET

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STI18N65M5 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：TO-262, I2PAK-3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.81
雪崩能效等级（Eas）：210 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：650 V
最大漏极电流 (ID)：15 A最大漏源导通电阻：0.22 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-262AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：110 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STI18N65M5 数据手册

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STF18N65M5, STI18N65M5, STP18N65M5,  
STW18N65M5  
N-channel 650 V, 0.198 Ω typ., 15 A MDmesh™ V Power MOSFET  
in TO-220FP, I²PAK, TO-220 and TO-247 packages  
Datasheet — production data  
Features  
TAB  
VDSS  
TJmax  
@
RDS(on)  
max  
Order code  
ID  
3
2
1
3
STF18N65M5  
STI18N65M5  
STP18N65M5  
STW18N65M5  
2
1
TO-220FP  
I²PAK  
710 V  
< 0.22 Ω  
15 A  
TAB  
■ Worldwide best RDS(on) * area  
3
3
2
■ Higher VDSS rating and high dv/dt capability  
■ Excellent switching performance  
■ 100% avalanche tested  
2
1
1
TO-247  
TO-220  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
Applications  
■ Switching applications  
$ꢅꢆꢇ 4!"ꢈ  
Description  
These devices are N-channel MDmesh™ V  
Power MOSFETs based on an innovative  
proprietary vertical process technology, which is  
combined with STMicroelectronics’ well-known  
PowerMESH™ horizontal layout structure. The  
resulting product has extremely low on-  
'ꢅꢁꢈ  
3ꢅꢉꢈ  
resistance, which is unmatched among silicon-  
based Power MOSFETs, making it especially  
suitable for applications which require superior  
power density and outstanding efficiency.  
!-ꢀꢁꢂꢃꢄVꢁ  
Table 1.  
Device summary  
Order code  
Marking  
Package  
Packaging  
STF18N65M5  
STI18N65M5  
STP18N65M5  
STW18N65M5  
TO-220FP  
I²PAK  
18N65M5  
Tube  
TO-220  
TO-247  
July 2012  
Doc ID 022879 Rev 3  
1/19  
This is information on a product in full production.  
www.st.com  
19  
1234567...19

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STI18N65M5 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STP18N65M5 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N沟道650 V、0.198 Ohm典型值、15 A MDmesh M5功率MOSFET，

与STI18N65M5相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STI18NM60N STMICROELECTRONICS

获取价格

 		13A, 600V, 0.285ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, ROHS COMPLIANT, TO-262, I2PAK
STI19NM65N STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 650 V - 0.25 Ω - 15.5 A - TO-220/FP
STI-2.5-250D/N ETC

获取价格

 		Crimping tools and machines
STI20 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5
STI200 ETC

获取价格

 		PAPIERTUCH 230X230MM 00 Inhalt pro Packung: 200 Stk.
STI2000 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 40V V(BR)CEO | TO-92
STI2001 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-92
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 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | TO-92
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 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-92
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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-66

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