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STI18N65M5

更新时间： 2024-11-23 20:04:43

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
19页	934K
描述
POWER, FET

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STI18N65M5 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TO-262, I2PAK-3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.81
雪崩能效等级（Eas）：	210 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	650 V
最大漏极电流 (ID)：	15 A	最大漏源导通电阻：	0.22 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	110 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STI18N65M5 数据手册

STF18N65M5, STI18N65M5, STP18N65M5,

STW18N65M5

N-channel 650 V, 0.198 Ω typ., 15 A MDmesh™ V Power MOSFET

in TO-220FP, I²PAK, TO-220 and TO-247 packages

Datasheet — production data

Features

TAB

V_DSS

T_Jmax

R_DS(on)

max

Order code

I_D

STF18N65M5

STI18N65M5

STP18N65M5

STW18N65M5

TO-220FP

I²PAK

710 V

< 0.22 Ω

15 A

TAB

■ Worldwide best R_DS(on)* area

■ Higher V_DSSrating and high dv/dt capability

■ Excellent switching performance

■ 100% avalanche tested

TO-247

TO-220

Figure 1.

Internal schematic diagram

Applications

■ Switching applications

$ꢅꢆꢇ 4!"ꢈ

Description

These devices are N-channel MDmesh™ V

Power MOSFETs based on an innovative

proprietary vertical process technology, which is

combined with STMicroelectronics’ well-known

PowerMESH™ horizontal layout structure. The

resulting product has extremely low on-

'ꢅꢁꢈ

3ꢅꢉꢈ

resistance, which is unmatched among silicon-

based Power MOSFETs, making it especially

suitable for applications which require superior

power density and outstanding efficiency.

!-ꢀꢁꢂꢃꢄVꢁ

Table 1.

Device summary

Order code

Marking

Package

Packaging

STF18N65M5

STI18N65M5

STP18N65M5

STW18N65M5

TO-220FP

I²PAK

18N65M5

Tube

TO-220

TO-247

July 2012

Doc ID 022879 Rev 3

1/19

This is information on a product in full production.

www.st.com

12 3 4 5 6 7...19

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STI18N65M5 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STP18N65M5	STMICROELECTRONICS	功能相似	N沟道650 V、0.198 Ohm典型值、15 A MDmesh M5功率MOSFET，

与STI18N65M5相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STI18NM60N	STMICROELECTRONICS	获取价格	13A, 600V, 0.285ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, ROHS COMPLIANT, TO-262, I2PAK
STI19NM65N	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 650 V - 0.25 Ω - 15.5 A - TO-220/FP
STI-2.5-250D/N	ETC	获取价格	Crimping tools and machines
STI20	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 200V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-5
STI200	ETC	获取价格	PAPIERTUCH 230X230MM 00 Inhalt pro Packung: 200 Stk.
STI2000	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| TO-92
STI2001	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 600MA I(C) \| TO-92
STI2002	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| TO-92
STI2003	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 600MA I(C) \| TO-92
STI2006	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 200V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-66

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