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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
栅极 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 17页 | 519K |  |
| 描述 | ||
| N-channel 250V - 0.14ヘ - 17A - TO-220/FP - DPAK - I2PAK Low gate charge STripFET⑩ II Power MOSFET | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-262AA | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 100 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 250 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 17 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 17 A | 最大漏源导通电阻： | 0.165 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-262AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 90 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 68 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STI18N65M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道650 V、0.275 Ohm典型值、12 A MDmesh M2功率MOSFET， |
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| STI18N65M5 | STMICROELECTRONICS |
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POWER, FET |
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| STI18NM60N | STMICROELECTRONICS |
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13A, 600V, 0.285ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, ROHS COMPLIANT, TO-262, I2PAK |
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| STI19NM65N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 650 V - 0.25 Ω - 15.5 A - TO-220/FP |
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| STI-2.5-250D/N | ETC |
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Crimping tools and machines |
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| STI20 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5 |
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| STI200 | ETC |
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PAPIERTUCH 230X230MM 00 Inhalt pro Packung: 200 Stk. |
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| STI2000 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 40V V(BR)CEO | TO-92 |
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| STI2001 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-92 |
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| STI2002 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | TO-92 |
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