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STGP100N30

更新时间： 2024-01-31 18:18:46

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		局域网通用开关栅双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	683K
描述
90A, 330V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN

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STGP100N30 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.83	最大集电极电流 (IC)：	90 A
集电极-发射极最大电压：	330 V	配置：	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	GENERAL PURPOSE SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	310 ns
Base Number Matches：	1

STGP100N30 数据手册

STGF100N30

STGP100N30, STGW100N30

90 A - 330 V - fast IGBT

Features

■ Optimized for sustain and energy recovery

circuits in PDP applications.

■ State-of-the-art STripFET™ technology

■ Peak collector current I = 330 A @

T = 25 °C (see Table 2)

TO-220FP

TO-247

■ Very low-on voltage drop (V

) and energy

CE(sat)

per pulse for improved panel efficiency

■ High repetitive peak current capability

Description

TO-220

Advanced high-density and high-current IGBT

technology with low-drop companion diode

adapted to various functions in PDP sets.

Figure 1.

Internal schematic diagram

Table 1.

Device summary

Order codes

Marking

Package

TO-220FP

Packaging

STGF100N30

STGP100N30

STGW100N30

GF100N30

GP100N30

GW100N30

Tube

TO-220

TO-247

February 2009

Rev 1

1/13

www.st.com

12 3 4 5 6 7...13

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