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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | SOT-23, 6 PIN | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 模拟集成电路 - 其他类型： | SPDT | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 2.9 mm |
| 信道数量： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 标称断态隔离度： | 87 dB |
| 通态电阻匹配规范： | 0.1 Ω | 最大通态电阻 (Ron)： | 7 Ω |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LSSOP |
| 封装等效代码： | TSOP5/6,.11,37 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 2/5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.45 mm | 子类别： | Multiplexer or Switches |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 最长断开时间： | 7 ns | 最长接通时间： | 24 ns |
| 切换： | BREAK-BEFORE-MAKE | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.95 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 1.625 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STG719STR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
LOW VOLTAGE 4ヘ SPDT SWITCH |
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| STG75M120F3D7 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1200 V, 75 A trench gate field-stop M series low-loss IGBT die in D7 packing |
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| STG80H65FBD7 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
650 V, 80 A trench gate field-stop HB series high-speed IGBT die in D7 packing |
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| STG8203 | SAMHOP |
获取价格 |
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| STG8205 | SAMHOP |
获取价格 |
Transistor |
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| STG8206 | SAMHOP |
获取价格 |
Dual N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor |
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| STG8207 | SAMHOP |
获取价格 |
Dual N-Channel E nhancement Mode F ield E ffect Transistor |
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| STG8209 | SAMHOP |
获取价格 |
Dual N-Channel E nhancement Mode F ield E ffect Transistor |
|
| STG8210 | SAMHOP |
获取价格 |
Dual N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| STG8210B | SAMHOP |
获取价格 |
Transistor |
|
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