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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | LSSOP, | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.77 | Is Samacsys： | N |
| 模拟集成电路 - 其他类型： | SPDT | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| 长度： | 2.9 mm | 信道数量： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 标称断态隔离度： | 74 dB | 通态电阻匹配规范： | 0.1 Ω |
| 最大通态电阻 (Ron)： | 7 Ω | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LSSOP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.45 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 最长断开时间： | 8.5 ns |
| 最长接通时间： | 19 ns | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.95 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 1.65 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STG719FTR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
LOW VOLTAGE 4ohm SPDT SWITCH |
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| STG719STR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
LOW VOLTAGE 4ヘ SPDT SWITCH |
|
| STG75M120F3D7 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1200 V, 75 A trench gate field-stop M series low-loss IGBT die in D7 packing |
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| STG80H65FBD7 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
650 V, 80 A trench gate field-stop HB series high-speed IGBT die in D7 packing |
|
| STG8203 | SAMHOP |
获取价格 |
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| STG8205 | SAMHOP |
获取价格 |
Transistor |
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| STG8206 | SAMHOP |
获取价格 |
Dual N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| STG8207 | SAMHOP |
获取价格 |
Dual N-Channel E nhancement Mode F ield E ffect Transistor |
|
| STG8209 | SAMHOP |
获取价格 |
Dual N-Channel E nhancement Mode F ield E ffect Transistor |
|
| STG8210 | SAMHOP |
获取价格 |
Dual N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor |
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