5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, TO-220FP, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.78 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 143 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7 A | 最大漏极电流 (ID)： | 7 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.63 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 28 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STF19NM50N | STMICROELECTRONICS |
类似代替  |
N-channel 500 V, 0.2 ohm, 14 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220FP, TO-220 and TO-247 |
|
| STF10NM60N | STMICROELECTRONICS |
类似代替 |
N-channel 600 V, 0.53 ohm, 10 A, DPAK, TO-220, TO-220FP, IPAK MDmesh II Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STF10NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 0.53 ohm, 10 A, DPAK, TO-220, TO-220FP, IPAK MDmesh II Power MOSFET |
|
| STF10NM60ND | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 0.57 Ohm, 8 A, TO-220FP FDmesh(TM) II Power MOSFET |
|
| STF10NM65N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650 V - 0.43 ヘ - 9 A - TO-220 - TO- |
|
| STF11N52K3 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 525 V, 0.41 ohm, 10 A SuperMESH3 Power MOSFET |
|
| STF11N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.370 Ohm典型值、10 A MDmesh DM2功率MOSFET |
|
| STF11N60M2-EP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.550 Ohm典型值、7.5 A MDmesh M2 EP功率MOS |
|
| STF11N65K3 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
11A, 650V, 0.85ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220FP, 3 PI |
|
| STF11N65M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、0.60 Ohm典型值、7 A MDmesh M2功率MOSFET，TO |
|
| STF11N65M2(045Y) | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、0.60 Ohm典型值、7 A MDmesh M2功率MOSFET，TO |
|
| STF11N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650 V, 0.43 typ., 9 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 and |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
