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STE48NM50

更新时间： 2024-09-20 22:15:35
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
8页 275K
描述
N-CHANNEL 500V - 0.08ohm - 48A ISOTOP MDmesh⑩Power MOSFET

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STE48NM50 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：ISOTOP包装说明：FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：12 weeks
风险等级：1.71雪崩能效等级（Eas）：810 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：48 A
最大漏极电流 (ID)：48 A最大漏源导通电阻：0.1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PUFM-X4
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：450 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：192 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STE48NM50 数据手册

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STE48NM50  
N-CHANNEL 500V - 0.08Ω - 48A ISOTOP  
MDmesh™Power MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STE48NM50  
500V  
< 0.1Ω  
48 A  
TYPICAL R (on) = 0.08Ω  
DS  
HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE  
CHARGE  
LOW GATE INPUT RESISTANCE  
TIGHT PROCESS CONTROL AND HIGH  
MANUFACTURING YIELDS  
ISOTOP  
DESCRIPTION  
The MDmesh™ is a new revolutionary MOSFET  
technology that associates the Multiple Drain pro-  
cess with the Company’s PowerMESH™ horizontal  
layout. The resulting product has an outstanding low  
on-resistance, impressively high dv/dt and excellent  
avalanche characteristics. The adoption of the  
Company’s proprietary strip technique yields overall  
dynamic performance that is significantly better than  
that of similar competition’s products.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
The MDmesh™ family is very suitable for increasing  
power density of high voltage converters allowing  
system miniaturization and higher efficiencies.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
500  
Unit  
V
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
500  
V
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
±30  
V
I
D
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
48  
A
C
I
D
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
30  
A
C
I
( )  
Drain Current (pulsed)  
192  
A
DM  
P
TOT  
Total Dissipation at T = 25°C  
450  
W
C
Derating Factor  
3.6  
W/°C  
V/ns  
°C  
°C  
dv/dt (1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
15  
T
stg  
–65 to 150  
150  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
(1) I ≤48A, di/dt ≤400A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
(BR)DSS j JMAX.  
SD  
DD  
September 2002  
1/8  
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STE48NM50 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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STE515A5-35.000MHZ CALIBER

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