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STE38NB50

更新时间： 2024-09-17 22:13:43
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 285K
描述
N - CHANNEL 500V - 0.11 ohm - 38A - ISOTOP PowerMESH MOSFET

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STE38NB50 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：ISOTOP包装说明：ISOTOP-4
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.72
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：1200 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：38 A
最大漏极电流 (ID)：38 A最大漏源导通电阻：0.13 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PUFM-X4
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：245极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：400 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：152 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Nickel (Ni)
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STE38NB50 数据手册

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STE38NB50  
®
N - CHANNEL 500V - 0.11 Ω - 38A - ISOTOP  
PowerMESH MOSFET  
TYPE  
STE38NB50  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
500 V  
< 0.13 Ω  
38 A  
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.11 Ω  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW INTRINSIC CAPACITANCE  
GATE CHARGE MINIMIZED  
REDUCED VOLTAGE SPREAD  
DESCRIPTION  
Using the latest high voltage MESH OVERLAY  
process, SGS-Thomson has designed an ad-  
vanced family of power MOSFETs with outstand-  
ing performances. The new patent pending strip  
layout coupled with the Company’s proprietary  
edge termination structure, gives the lowest  
RDS(on) per area, exceptional avalanche and  
dv/dt capabilities and unrivalled gate charge and  
switching characteristics.  
ISOTOP  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITCH MODE POWER SUPPLY (SMPS)  
DC-AC CONVERTER FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTABLE  
POWER SUPPLY AND MOTOR DRIVE  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
500  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
V
V
500  
± 30  
38  
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
24  
A
I
DM(•)  
Drain Current (pulsed)  
152  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
400  
W
Derating Factor  
3.2  
W/oC  
V/ns  
oC  
oC  
dv/dt(1) Peak Diode Recovery voltage slope  
4.5  
Tstg  
Tj  
Storage Temperature  
-65 to 150  
Max. Operating Junction Temperature  
150  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
(1) ISD ≤38 A, di/dt ≤ 200 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
1/8  
June 1998  
12345678

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与STE38NB50相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STE38NB50F STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL 500V - 0.11 ohm - 38A - ISOTOP PowerMESH MOSFET
STE400-100T4MI VISHAY

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