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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STE36N50-DA
STE36N50-DA PDF预览

STE36N50-DA

更新时间： 2024-09-18 09:00:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 169K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWERMOS TRANSISTORANDULTRA-FAST DIODEINISOTOPPACKAGE

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STE36N50-DA 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：ISOTOP
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4针数：4
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.7
其他特性：UL RECOGNIZED雪崩能效等级（Eas）：100 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (ID)：36 A
最大漏源导通电阻：0.14 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PUFM-X4元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：144 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STE36N50-DA 数据手册

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STE36N50-DA  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS  
TRANSISTOR AND ULTRA-FAST DIODE IN ISOTOP PACKAGE  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STE36N50-DA  
500 V  
< 0.14 Ω  
36 A  
4
■
■
■
■
■
LOW GATE CHARGE MOSFET  
3
TURBOSWITCH DIODE INCORPORATED  
HIGH CURRENT POWER MODULE  
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY  
VERY LARGE SOA - LARGE PEAK POWER  
CAPABILITY  
1
2
■
■
■
■
EASY TO MOUNT  
EXTREMELY LOW Rth JUNCTION TO CASE  
VERY LOW DRAIN TO CASE CAPACITANCE  
VERY LOW INTERNAL PARASITIC  
INDUCTANCE (TYPICALLY < 5 nH)  
ISOLATED PACKAGE UL RECOGNIZED  
(FILE No E81743)  
ISOTOP  
■
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
INDUSTRIAL APPLICATIONS:  
■
SMPS & UPS  
■
■
■
MOTOR CONTROL  
WELDING EQUIPMENT  
ASYMMETRICAL HALF BRIDGE SMPS  
(WITH COMPLIMENTARY STE36N50-DK)  
MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
Parameter  
Drain-Source Voltage (VGS = 0)  
Drain-Gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-Source Voltage  
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
Value  
500  
Unit  
V
V
VDG R  
VGS  
500  
± 20  
36  
V
ID  
A
ID  
24  
A
IDM(•)  
Ptot  
144  
A
Total Dissipation at Tc = 25 oC  
380  
W
W/oC  
oC  
oC  
V
Derating Factor  
3.3  
Tstg  
Tj  
Storage Temperature  
-55 to 150  
150  
Max. Operating Junction Temperature  
Insulation Withstand Voltage (AC-RMS)  
VISO  
2500  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/9  
September 1994  
1234567...9

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与STE36N50-DA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STE36N50-DK STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWERMOS TRANSISTORANDULTRA-FAST DIODEINISOTOPPACKAGE
STE38N60 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)DSS | 38A I(D)
STE38NB50 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL 500V - 0.11 ohm - 38A - ISOTOP PowerMESH MOSFET
STE38NB50F STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL 500V - 0.11 ohm - 38A - ISOTOP PowerMESH MOSFET
STE400-100T4MI VISHAY

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 		CAP TANT 400UF 100V 20% AXIAL
STE400P STMICROELECTRONICS

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 		DATACOM, ETHERNET TRANSCEIVER, PQFP208, 28 X 28 MM, 3.49 MM HEIGHT, PLASTIC, QFP-208
STE40N55 STMICROELECTRONICS

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 		TRANSISTORS
STE40NA60 STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STE40NC60 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 600V - 0.098ohm - 40A ISOTOP PowerM
STE40NK90ZD STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 900V - 0.14 - 40 A ISOTOP Super FREDMeshTM MOSFET

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